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研究SDRAM也是一样,首先看看电源系统部分

2018-3-23 12:31| 发布者: 维修家园| 查看: 8| 评论: 0

摘要: 任何一个领域的深入发展,想有所收获,都需要熟悉其中更多的套路。电路系统的设计调试也不例外,大体包括几个大的部分:电源供电以及时序的控制;时钟是否工作;复位信号是否正确给出;再有就是一些外围的接口以及GP ...

任何一个领域的深入发展,想有所收获,都需要熟悉其中更多的套路。电路系统的设计调试也不例外,大体包括几个大的部分:电源供电以及时序的控制;时钟是否工作;复位信号是否正确给出;再有就是一些外围的接口以及GPIO的控制等等。只有熟悉了这一个个的模块,才能让系统正常的转起来。
  研究SDRAM也是一样,首先看看电源系统部分。


  DDR的电源
  主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。
  参考电源Vref,参考电源Vref要求跟随VDDQ,并且Vref=VDDQ/2,所以可以使用电源芯片提供,也可以采用电阻分压的方式得到。
  用于匹配的电压VTT(Tracking Termination Voltage)
  VTT为匹配电阻上拉到的电源,VTT=VDDQ/2。DDR的设计中,根据拓扑结构的不同,有的设计使用不到VTT,如控制器带的DDR器件比较少的情况下。如果使用VTT,则VTT的电流要求是比较大的,所以需要走线使用铜皮铺过去。并且VTT要求电源即可以吸电流,又可以灌电流才可以。一般情况下可以使用专门为DDR设计的产生VTT的电源芯片来满足要求。
  而且,每个拉到VTT的电阻旁一般放一个10Nf~100nF的电容,整个VTT电路上需要有uF级大电容进行储能。


  在华为的设计中,在使用DDR颗粒的情况下,已经基本全部不使用VTT电源,全部采用电阻上下拉的戴维南匹配,只有在使用内存条的情况下才使用VTT电源。
  DDR的拓扑结构
  首先要确定DDR的拓补结构,一句话,DDR1/2采用星形结构,DDR3采用菊花链结构。
  拓补结构只影响地址线的走线方式,不影响数据线。以下是示意图。


  星形拓扑


  菊花链拓扑结构


  星形拓补就是地址线走到两片DDR中间再向两片DDR分别走线,菊花链就是用地址线把两片DDR“串起来”。


  上面的PCB电路能够清晰地说明实际电路中对应的拓扑结构。


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